特許

J-GLOBAL ID：200903021856488791

半導体装置、液晶表示装置、半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法

発明者： 久保田 健 ,  小松 紀和
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062065
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250954
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 製造コストを低減すると同時に高い信頼性を有する半導体装置および液晶表示装置を提供する。【解決手段】 半導体装置では、薄膜電界効果トランジスタが基板1上に形成され、ソースおよびドレイン領域4a、4bとゲート電極9bとを含む。下層層間絶縁膜11はゲート電極9bに接触するように形成され、シリコン酸化膜を含む。上層層間絶縁膜24は下層層間絶縁膜上に形成される。下層層間絶縁膜と上層層間絶縁膜とにはコンタクトホール12cが形成される。下層導電体膜26は下層層間絶縁膜下において下層層間絶縁膜と接触するように形成される。上層導電体膜13cは、コンタクトホールの内部から上層層間絶縁膜の上部表面上において下層導電体膜上に位置する領域にまで延在するように形成され、ソースおよびドレイン領域の少なくともいずれか一方と接続されている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成され、ソースおよびドレイン領域とゲート電極とを含む薄膜電界効果トランジスタと、前記薄膜電界効果トランジスタの前記ゲート電極に接触するように前記薄膜電界効果トランジスタ上に形成され、シリコン酸化膜を含む下層層間絶縁膜と、前記下層層間絶縁膜上に形成された上層層間絶縁膜とを備え、前記下層層間絶縁膜と前記上層層間絶縁膜とには前記ソースおよびドレイン領域の少なくともいずれか一方の表面を露出させるコンタクトホールが形成され、さらに、前記下層層間絶縁膜下に位置する領域に形成され、前記下層層間絶縁膜と接触する下層導電体膜と、前記コンタクトホールの内部から前記上層層間絶縁膜の上部表面上において前記下層導電体膜上に位置する領域にまで延在するように形成され、前記ソースおよびドレイン領域の少なくともいずれか一方と接続された上層導電体膜とを備える、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 29/78 619 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/90 M

Fターム (77件)：

2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092MA18 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA04 ,  2H092PA06 ,  2H092PA08 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH17 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ17 ,  5F033KK04 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV15 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX02 ,  5F033XX34 ,  5F043AA33 ,  5F043BB22 ,  5F043GG03 ,  5F043GG10 ,  5F110AA26 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-262268   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 電子装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-054866   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-298376   出願人：三洋電機株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-155132   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-025123   出願人：セイコーエプソン株式会社