薄膜エピタキシャルウェ-ハおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-026105
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209057
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】電気的特性が向上し、かつ製造時の歩留りも大きい減圧薄膜エピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 COPが表面に存在しないか、個数が少ない単結晶シリコン基板を作製し、この単結晶シリコン基板にエピ層を減圧で薄く(4.0μm以下)エピタキシャル成長する。単結晶基板を作製する方法は、高濃度のP形不純物を添加する方法を採用する。こうすることで、薄膜エピウェーハの作製後、エピ層表面のCOPが消失または減少する。よって、COPを原因とした単結晶基板の欠陥が解消されたり小さくなり、薄膜エピウェーハの電気特性の向上が図れ、しかも製造時の歩留りも大きくなる。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板と、この単結晶シリコン基板上に設けられ、COPがその表面に存在しない薄膜のエピタキシャル層と、を備え、上記単結晶シリコン基板は、CZ法により引き上げられ、所定濃度以上のP型不純物を含むことにより、COPがその表面に存在しない薄膜エピタキシャルウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C30B 29/06 , H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 21/205 , C30B 29/06 A , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (16件)

シリコンウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-181715 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
COPを低減した張り合わせ半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-209294 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
特開平3-233936

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