特許

J-GLOBAL ID：200903021873623317

基板処理装置

発明者： 佐々木 忠司 ,  浅井 正也 ,  大谷 正美
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173302
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017724
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 化学増幅レジストの反応時間を精度よくコントロールすることができる基板処理装置を提供する。【構成】 複数枚の半導体ウエハ等の基板Wを保管する基板保管部1と、基板Wに所要の処理を施す基板処理部2と、基板処理部2と本装置に連設される露光装置との間で基板Wを受け渡しするインターフェイス機構部4とを備え、基板処理部2でレジストが塗布された基板Wを、露光後、インターフェイス機構部4上に設けられた熱処理装置50により加熱/冷却処理して化学増幅レジストの化学反応を完結させた後、基板Wを現像処理する。

請求項（抜粋）：

露光処理された基板を、加熱処理してレジストの反応を促進し、その後に基板を現像処理する基板処理装置において、基板にレジストを塗布するレジスト塗布手段と、露光後の基板を現像する現像手段とを備えた基板処理部と、前記基板処理部と装置外部との間で、基板を受け渡しするインターフェイス機構部と、前記インターフェイス機構部に設けられ、前記装置外部で露光された基板を加熱する加熱手段と、前記加熱手段で加熱された基板を冷却する冷却手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-323704   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
• 特開平4-084410
  
• 特開平3-154324
  
• レジスト・パターン形成方法およびこれに用いるレジスト・パターン形成システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-290495   出願人：ソニー株式会社