半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-019954
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195482
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】スタックトキャパシタの下部電極としてのポリシリコン膜の表面積を増加して、平面面積に比較して大きな容量を得るようにする。【構成】半導体基板1上にランダム構造のポリシリコン膜3を形成し、このポリシリコン膜3をシリコンのエッチング液にて処理し、ポリシリコン膜3の表面に凹凸3aを形成して下部電極4とする。その上に容量絶縁膜5と上部電極6とを形成する。ランダム構造のポリシリコン膜3をエッチングすることで、その表面にはランダム構造のグレインに沿って凹凸3aが形成されるため、ポリシリコン膜3の上面及び側面に凹凸が形成され、その表面積が格段に増加される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にランダム構造のポリシリコン膜を形成する工程と、このポリシリコン膜をシリコンのエッチング液にて処理し、ポリシリコン膜の表面に凹凸を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 B , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-019591 出願人：日本電気株式会社
特開平4-286152
特開平3-278566

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