特許
J-GLOBAL ID：200903021898473190
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-186041
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007931
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の冷却効果を高めるとともに、小型軽量化を図ること。【解決手段】 本発明は、シリコン等の基板1における素子が形成された第1主面1a側に樹脂パッケージ2が形成され、その樹脂パッケージ2に外部接続端子であるバンプ3が設けられている半導体装置において、基板1の素子が形成されていない第2主面1b側に基板1と一体の凹凸部11が形成されているとともに、その凹凸部11に粗面部12が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板における素子が形成された第1主面側に樹脂パッケージが形成され、その樹脂パッケージに外部接続端子が設けられている半導体装置において、前記半導体基板の素子が形成されていない第2主面側に前記半導体基板と一体の凹凸が形成されているとともに、その凹凸の表面に粗面処理が施されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/34
, H01L 23/12 501
H01L 23/34 A
, H01L 23/12 501 C
