半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-111922
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307694
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】従来のμBGA(マイクロ・ボール・グリッド・アレイ)型の半導体装置では、半導体チップの素子側からの放熱を促進させるような構造がなかった。【解決手段】本発明の半導体装置では、小型で薄型の半導体装置であり、かつ半導体チップ7上に形成した低弾性率材料9内に導体からなる放熱用孔14を形成し、その孔14上に外部接続端子を形成する。それにより半導体チップ7が動作した際の熱を放熱用孔14を経由し、外部接続端子を通って半導体装置が実装されているプリント基板側に放熱させることができる。以上の構成により、半導体チップ7の動作時の熱を半導体チップ7の表裏の両面に放散することが可能となり、放熱性の高い半導体装置を提供できる。また、放熱用孔の形成も低弾性率材料の形成時に同時に形成できるので容易で効果的に孔の形成が可能である。

請求項（抜粋）：

表面に電極部が配列された半導体チップと、前記半導体チップの表面に配列された電極部を露出して、前記半導体チップ表面に形成された絶縁性の低弾性率材料層と、前記電極部に接続され、前記低弾性率材料層上にパターン化して延在された金属配線層と、前記金属配線層の一部の領域を除き、前記低弾性率材料層上に形成されたソルダーレジストと、前記ソルダーレジストが形成されず開口した金属配線層上に設けられた外部電極端子と、前記低弾性率材料層に前記半導体チップ表面に到達した孔とよりなる半導体装置であって、前記低弾性率材料層に設けた孔は、金属配線層により配線されない部分の前記低弾性率材料層の領域内に設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/34 , H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/34 A , H01L 23/12 L

引用特許：

出願人引用 (5件)

特表平6-504408
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-025277 出願人：松下電子工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-238786 出願人：松下電子工業株式会社

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審査官引用 (1件)

特表平6-504408

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