特許
J-GLOBAL ID：200903021900518563

熱電変換モジュールおよびその製造方法

発明者：
川内 康弘

川内 康弘 について

, 
中村 孝則

中村 孝則 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 小柴 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-044912
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227508
出願日： 2006年02月22日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】小型化かつ高性能化が可能な熱電変換モジュールを提供する。【解決手段】多層回路基板の製造技術、特にビア導体の形成技術を用いて、複数の絶縁層2からなる積層体3の内部に、p型熱電半導体4およびn型熱電半導体5を形成する。対をなすp型熱電半導体4とn型熱電半導体5とは、pn間接続導体11によって互いに直列に電気的接続されて熱電変換素子対10を構成し、複数の熱電変換素子対10は、たとえば、直列配線導体12によって直列に接続される。熱電半導体4,5の各々は、性能指数のピーク温度が互いに異なる複数の部分21〜23および24〜26を有し、これら複数の部分は、積層体3の積層方向に分布する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
p型熱電半導体およびn型熱電半導体と、 電気絶縁性を有する複数の絶縁層の積層構造を有する積層体と を備え、 前記積層体には、前記p型熱電半導体を収容する少なくとも1つの第1の収容穴、および前記n型熱電半導体を収容する少なくとも1つの第2の収容穴が設けられるとともに、1対の前記p型熱電半導体と前記n型熱電半導体とからなる熱電変換素子対を形成するように、対をなす前記p型熱電半導体と前記n型熱電半導体とを互いに直列に電気的接続するpn間接続導体が設けられ、 前記第1および第2の収容穴は、特定の複数の前記絶縁層を厚み方向にそれぞれ貫通しかつ連接するように設けられた、各々複数の第1および第2の貫通孔によってそれぞれ与えられ、 前記p型熱電半導体および前記n型熱電半導体の少なくとも一方は、性能指数のピーク温度が互いに異なる複数の部分を有し、前記複数の部分は、前記積層体の積層方向に分布している、 熱電変換モジュール。
IPC (2件)：
H01L 35/32 ,  H01L 35/34
FI (2件)：
H01L35/32 A ,  H01L35/34
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM