高解像度ナノインプリンティング原版の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-136909
公開番号（公開出願番号）：特開2007-313897
出願日： 2007年05月23日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

【課題】高解像度のナノインプリンティング原版の製造方法を提供する。【解決手段】露光、現像したポジ型電子ビームレジストのネガ型特徴を、ナノインプリンティング原版のパターン化窒化ケイ素層におけるポジ型特徴に反転する。第一の耐酸化マスク層604を使用して、窒化ケイ素層104に堆積させたDLC層602をパターニングする。DLC層602のパターニング後、DLC層のネガ型特徴を堆積金属で充填し、残ったDLC層を除去した後、第二マスク1002が生成される。第二マスク層を使用して、窒化ケイ素層をエッチングし、ナノインプリンティング原版が完成する。【選択図】図15

請求項（抜粋）：

窒化ケイ素からなる表面を有する基板を設けるステップと、前記基板の前記表面にDLC層を形成するステップと、前記DLC層上に、金、パラジウム、白金、イリジウム、ロジウム、これらの合金、およびポリシリコンにより基本的に構成される群から選択される材料により第一マスク層を形成するステップと、前記第一マスク層をパターニングしてパターン化第一マスクを生成するステップと、前記DLC層をエッチングすることにより、前記パターン化第一マスクのパターンを前記DLC層に転写してパターン化DLCマスクを生成するステップと、前記パターン化DLCマスクと前記パターン化第一マスクを覆って第二マスク層を堆積するステップと、最初に前記パターン化第一マスクを除去し、次に前記パターン化DLCマスクを除去することにより前記第二マスク層から第二パターン化マスクを生成するステップと、前記第二パターン化マスクをパターン画定テンプレートとして使用して、前記基板の前記表面をエッチングすることにより、前記パターンを反転させるステップとを含むことを特徴とするインプリンティング原版の製造方法。

IPC (4件)：

B29C 59/02 , H01L 21/027 , B82B 3/00 , B29C 33/38

FI (4件)：

B29C59/02 B , H01L21/30 502D , B82B3/00 , B29C33/38

Fターム (24件)：

4F202AF01 , 4F202AG05 , 4F202AJ02 , 4F202AJ05 , 4F202AJ06 , 4F202AJ09 , 4F202AJ14 , 4F202CA19 , 4F202CA30 , 4F202CB01 , 4F202CD03 , 4F202CD24 , 4F209AF01 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209AH73 , 4F209AJ02 , 4F209AJ06 , 4F209AJ08 , 4F209AJ09 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PQ11 , 5F046AA28

引用特許：

出願人引用 (10件)

米国特許第6、753、130号明細書
特公昭62-167869号公報
米国特許第6、391、216号明細書

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