特許

J-GLOBAL ID：200903021914609561

窒化物半導体素子

発明者： 園部 真也 ,  若井 陽平 ,  出口 宏一郎 ,  大村 和之 ,  井上 芳樹
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-183048
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033197
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】 発光出力の高い窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 積層された窒化物半導体層上に、第1金属層と、少なくとも前記第1金属層と異なる材質からなる第2金属層とを備えた多層構成の電極を有する窒化物半導体素子において、前記第1金属層は、酸化物、窒化物、酸素窒素化物のいずれかの化合物を含有する銀から成る。前記化合物は、III族酸化物、II族酸化物、又は遷移金属酸化物である。前記化合物は、インジウム、ガリウム、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、錫、チタン、ニオブから成る群から選ばれる少なくとも一種類以上の金属の化合物である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

積層された窒化物半導体層上に、第1金属層と、少なくとも前記第1金属層と異なる材質からなる第2金属層とを備えた多層構成の電極を有する窒化物半導体素子において、 前記第1金属層は、酸素化合物、窒素化合物、または酸素窒素化合物のいずれかの化合物を含有する銀からなることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C

Fターム (23件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F041CA86 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA16 ,  5F041DA76 ,  5F041DB06 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-104370   出願人：日本電気株式会社
• 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-287623   出願人：松下電子工業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-120269   出願人：豊田合成株式会社
• 発光半導体の方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-071027   出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-287623   出願人：松下電子工業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-120269   出願人：豊田合成株式会社
• 発光半導体の方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-071027   出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー