特許
J-GLOBAL ID：200903058469075242
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-104370
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299528
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】電極を精度良く所定の位置に形成することができ、電極形成位置にずれが生じた場合であっても良好な電流狭窄が実現することができ、半導体層や絶縁膜との密着性が良好な、リッジ導波路型半導体レーザを提供すること。【解決手段】p型クラッド層112に設けられたリッジ部120の上に、p型コンタクト層101および第一の電極層113を形成する。第一の電極層113は、第1層目がNi、第2層目がPtからなる2層構造とする。第一の電極層113およびp型クラッド層112の上に、酸化珪素膜102および第二の電極層114をこの順で形成する。第二の電極層114は、第1層目がTi、第2層目がPt、第3層目がAuからなる3層構造とする。酸化珪素膜102には第一の電極層113に達する接続孔が設けられており、この接続孔を介して第二の電極層114と第一の電極層113とを接続する。
請求項（抜粋）：
活性層と、リッジ部を有し前記活性層の上部に設けられた半導体層とを有し、前記リッジ部に第一の電極層が形成され、前記第一の電極層および前記半導体層の上に、前記第一の電極層に達する接続孔の設けられた絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に、前記接続孔を通じて前記第一の電極層と接続する第二の電極層が形成されたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/22
, H01S 5/042 610
H01S 3/18 662
, H01S 3/18 624
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB10
, 5F073CB22
, 5F073CB23
, 5F073DA30
