特許

J-GLOBAL ID：200903035715931234

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： 上村 俊也
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-120269
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168823
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 p側電極におけるAgのマイグレーションを抑制し、高輝度かつ信頼性の高いIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 同一面側にp側電極及びn側電極が形成されるIII族窒化物系化合物半導体発光素子(フリップチップタイプの発光素子)において、p側電極を、p型半導体層の上に形成されるAg含有の第1金属層と、一部領域を除いて該第1金属層を被覆する保護膜と、該保護膜の上に形成されるAg非含有の第2金属層とを含んで構成する。

請求項（抜粋）：

同一面側にp側電極及びn側電極が形成されるIII族窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記p側電極が、p型半導体層の上に形成されるAg含有の第1金属層と、一部領域を除いて該第1金属層を被覆する絶縁性の保護膜と、該保護膜の上に形成されるAg非含有の第2金属層と、を含むIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41

FI (5件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/44 S

Fターム (41件)：

4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD31 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104EE08 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH01 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 反射p電極を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-345584   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体発光素子、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-194224   出願人：ローム株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-036619   出願人：豊田合成株式会社