特許
J-GLOBAL ID：200903021925647090

超薄型電気光学表示装置の製造方法

発明者：
山中 英雄

山中 英雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 有吉 教晴 ,  有吉 修一朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-024897
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311955
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】 高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の透過型LCD、半透過型LCD、反射型LCD、上面発光型有機EL、下面発光型有機ELなどの電気光学表示装置を得る。【解決手段】 単結晶Si基板10に多孔質半導体層(低多孔質Si層11a・高多孔質Si層11b・低多孔質Si層11c)、単結晶Si層12a、SiO2層13aを形成し、表示領域のSiO2層13aを残して周辺回路領域のSiO2層13aを除去し、半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリSi層14aを、周辺回路領域に単結晶Si層12bを、それぞれ形成し、表示領域のポリSi層14に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶Si層12bに周辺回路部を、それぞれ形成し、Si基板10を多孔質Si層11bから分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付け、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、 前記支持基板上に前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、 前記単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成する工程と、 前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、 前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、 前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、 前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L27/12 ,  G09F9/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (6件)：
H01L27/12 B ,  G09F9/00 342Z ,  H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 627D
Fターム (58件)：
5F052AA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB04 ,  5F052DB06 ,  5F052DB07 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP33 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ21 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL15
引用特許：
出願人引用 (7件)
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