特許
J-GLOBAL ID：200903021929807963
化合物半導体の製造方法及び化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141446
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335748
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 組成分布が均一で良好な結晶性を有する、V族元素としてAsとNとを両方含んだ化合物半導体結晶を製造することは困難であった。特に、波長1.3μm,1.55μmに相当するバンドギャップを有し、半導体レーザ素子の活性層として用いるのに十分な結晶性を有するGaInNAs結晶を製造することが困難であった。【解決手段】 閃亜鉛鉱型の半導体結晶の基板の上への結晶成長方法であり、その基板が{001}面から{111}B面方向へ傾斜された表面を有している基板を用いた化合物半導体の製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
V族元素としてN(窒素)とAs(砒素)とを共に含むIII-V族化合物半導体結晶を一層以上含む積層構造を半導体基板上に作製する化合物半導体の製造方法であって、前記半導体基板が閃亜鉛鉱型の半導体結晶から成り、かつ{001}面から{111}B面方向へ傾斜された表面を有していることを特徴とする化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, C30B 29/40
, H01L 33/00
H01S 3/18
, C30B 29/40 Z
, H01L 33/00 C
, H01L 33/00 A
