特許

J-GLOBAL ID：200903093920171722

窒素不純物をドーピングしたIII-V族化合物半導体およびその作製方法

発明者： 牧本 俊樹 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-054352
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250815
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】電気-光変換効率が高く、種々の発光波長を持つ発光素子および励起子を利用したデバイスを作製するのに好適な構造のIII-V族化合物半導体およびその作製方法を提供する。【構成】窒素不純物をドーピングした第1のIII-V族化合物半導体層と、窒素不純物をドーピングしていない第2のIII-V族化合物半導体層を有し、第1のIII-V族化合物半導体層を、第2のIII-V族化合物半導体層で挟んだ構造とする。また、第1のIII-V族化合物半導体層と第2のIII-V族化合物半導体層とを交互に積層する。また、窒素不純物をドーピングした第1のIII-V族化合物半導体層を、バンドギャップの大きい半導体層で挟んだ構造とする。【効果】発光強度が強く、エネルギー分布の狭い良好なPL発光が得られる。

請求項（抜粋）：

窒素不純物をドーピングした第1のIII-V族化合物半導体層と、窒素不純物をドーピングしていない第2のIII-V族化合物半導体層を有し、上記第1のIII-V族化合物半導体層を、上記第2のIII-V族化合物半導体層で挟んだ構造としてなることを特徴とする窒素不純物をドーピングしたIII-V族化合物半導体。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-204768   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭59-009984
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-089123   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-090736   出願人：信越半導体株式会社
• 特開昭54-074686