特許
J-GLOBAL ID：200903044250136334
化合物半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128454
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321959
出願日： 1997年05月19日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 N組成の大きなGaInNAs結晶を均一かつ高品質に得る。【解決手段】 III族元素として少なくともGa(ガリウム)とIn(インジウム)とを共に含み、V族元素として少なくともN(窒素)とAs(砒素)とを共に含む化合物半導体結晶を少なくとも1層含む積層構造を半導体基板上に作製する化合物半導体の製造方法であって、該半導体基板が閃亜鉛鉱型の半導体結晶から成り、かつ前記基板が{001}面から{111}A面方向へ傾斜させた表面を有していることによる。
請求項（抜粋）：
III族元素として少なくともGa(ガリウム)とIn(インジウム)とを共に含み、V族元素として少なくともN(窒素)とAs(砒素)とを共に含む化合物半導体結晶を少なくとも1層含む積層構造を半導体基板上に作製する化合物半導体の製造方法であって、該半導体基板が閃亜鉛鉱型の半導体結晶から成り、かつ前記基板が{001}面から{111}A面方向へ傾斜させた表面を有していることを特徴とする化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/203
, H01L 21/205
H01S 3/18
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
