特許

J-GLOBAL ID：200903021943013929

半導体装置とその製造方法

発明者： 服部 佳晋 ,  山口 仁 ,  鈴木 幹昌
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-179635
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019528
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】スーパージャンクション構造部を有する半導体装置において、オン抵抗を低抵抗化することと、その製造方法の簡単化。【解決手段】第2導電型のソース領域32と第1導電型のボディ領域30とドリフト領域23と第2導電型のドレイン領域22とトレンチゲート電極36を有する半導体装置であり、ボディ領域はソース領域32とドリフト領域23を分離しており、ドリフト領域23は、第1導電型の第1部分領域24と、第2導電型の第2部分領域26を備えたスーパージャンクション構造部であり、トレンチゲート電極36は、ボディ領域30を貫通し、第1部分領域24と第2部分領域26の組合せの繰返し方向に伸びており、ドリフト領域23の第1部分領域24の少なくともトレンチゲート電極36の近傍の不純物濃度が、ボディ領域30の不純物濃度以下であることを特徴とする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ソース領域とボディ領域とドリフト領域とドレイン領域とトレンチゲート電極を有する半導体装置であり、 ソース領域は、第2導電型であり、 ボディ領域は、第1導電型であり、ソース領域とドリフト領域を分離しており、 ドリフト領域は、ボディ領域とドレイン領域の間を伸びる第1導電型の第1部分領域と、第1部分領域に隣接してボディ領域とドレイン領域の間を伸びる第2導電型の第2部分領域を備え、第1部分領域と第2部分領域の組合せが繰返されて構成されており、 ドレイン領域は、第2導電型であり、 トレンチゲート電極は、ソース領域とドリフト領域を分離するボディ領域を貫通し、第1部分領域と第2部分領域の組合せの繰返し方向の方向成分を持って伸びており、絶縁層を介して半導体領域に対向しており、 ドリフト領域の第1部分領域の少なくともトレンチゲートゲート電極近傍の不純物濃度が、ボディ領域の不純物濃度以下である半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (5件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 超接合半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-189590   出願人：富士電機株式会社
• 超接合半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-268462   出願人：富士電機株式会社