特許
J-GLOBAL ID：200903021961907660
基板上の化合物半導体層の組成決定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井ノ口 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-152848
公開番号（公開出願番号）：特開2002-340789
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 膜厚や複素屈折率などの組み合わせモデルを設定し、測定スペクトルとのフィッティングを、入射角度を変えて有限繰り返し行うことにより、薄膜構造および、誘電率の波長依存性、組成比を精度よく正確に決定する基板上の化合物半導体層の組成決定方法を提供する。【解決手段】 本発明による分光エリプソメータを用いた計測対象の基板表面の化合物半導体層の組成を決定する組成決定方法は次のステップを含んでいる。ΨE ,ΔE スペクトル測定データ化ステップ10,20は、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの測定スペクトルΨE ( λi ) とΔE ( λi ) を得る。ΨMk, ΔMkモデリングスペクトル算出ステップ21,22は、化合物半導体層の第j層目の(dj,Nj (nj,kj ))を仮定し、モデリングスペクトルΨMk( λi ) とΔMk (λi ) を得る。比較評価ステップ23,24は、評価基準に達した構造を測定結果と決定する。
請求項（抜粋）：
分光エリプソメータを用いて基板上に形成された化合物半導体層の表面を測定し前記基板上に形成された化合物半導体層の組成比x,yを決定する化合物半導体層の組成決定方法であって、計測対象の基板表面の薄膜を、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE ( λi ) とΔE ( λi ) を得るΨE ,ΔE スペクトル測定ステップと、前記基板の(N0 (n0,k0 ))、前記基板上の化合物半導体層の、第j層目の(dj,Nj (nj,kj ))を仮定してモデルを決定し、モデリングスペクトルΨM ( λi ) とΔM ( λi ) を得るΨM,ΔM モデリングスペクトル算出ステップと、前記ΨE ,ΔE スペクトルと前記ΨM,ΔM モデリングスペクトルを比較し、評価基準に達した前記ΨM,ΔM の構造を測定結果と決定(d,n,kおよび組成比が求まる)する比較評価ステップと、前記モデルが前記評価基準に合致しないときは、次の修正モデルを選定し、前記ΨM,ΔM モデリングスペクトル算出ステップを行い、前記比較評価ステップを行う修正ステップと、を含む基板上の化合物半導体層の組成決定方法。
IPC (5件)：
G01N 21/21
, G01N 21/00
, G01N 21/27
, H01L 21/66
, G01J 3/447
G01N 21/21 Z
, G01N 21/00 B
, G01N 21/27 B
, H01L 21/66 N
, G01J 3/447
2G020AA04
, 2G020AA05
, 2G020BA05
, 2G020BA18
, 2G020CA15
, 2G020CB32
, 2G020CB43
, 2G020CD04
, 2G020CD15
, 2G020CD22
, 2G020CD36
, 2G059AA01
, 2G059BB10
, 2G059BB16
, 2G059CC03
, 2G059EE05
, 2G059EE12
, 2G059HH02
, 2G059HH03
, 2G059JJ01
, 2G059JJ17
, 2G059JJ19
, 2G059KK01
, 2G059MM01
, 2G059MM02
, 2G059MM03
, 2G059MM05
, 2G059MM09
, 2G059MM10
, 4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106BA06
, 4M106CB21
