特許
J-GLOBAL ID：200903021968724153

III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス

発明者：
皿山 正二

皿山 正二 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-175577
公開番号（公開出願番号）：特開2001-058900
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 高性能の発光ダイオードやLD等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。【解決手段】 この結晶成長装置は、少なくともフラックス(例えば、金属NaあるいはNaを含む化合物)とIII族金属(例えば、Ga(ガリウム))と窒素あるいは窒素を含む化合物とを用いてIII族窒化物結晶を結晶成長させるものであって、温度と圧力とが制御される反応容器101内で、III族窒化物結晶(例えばGaN結晶)の結晶成長がなされる領域(102)と、III族金属(例えば、Ga(ガリウム))と窒素(N)あるいは窒素(N)を含む化合物とが供給される領域(103,108)とが分離されている。
請求項（抜粋）：
反応容器内に、少なくともIII族金属とフラックスとが収容されており、III族窒化物結晶を結晶成長させるために反応容器の外部から反応容器内に窒素または窒素を含む化合物を導入することを特徴とするIII族窒化物結晶の結晶成長方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C30B 9/12 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (7件)：
C30B 29/38 D ,  C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 Z ,  C30B 9/12 ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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