特許

J-GLOBAL ID：200903021980863576

パターン形成方法及びパターン形成装置

発明者： 池田 利喜夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189017
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142342
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 溶解阻止剤を含有するレジスト(化学増幅型レジスト等)の耐熱性を向上し、微細加工可能な状態でドライエッチングやイオンイン注入に十分に使用できるようにし、プロセス許容度も広がる技術を提供する。【構成】 溶解阻止剤を含有するレジストを用いるパターン形成方法において、現像液後のレジストパターンの表面のみを、酸性処理や、特定の光照射処理により選択的に処理IIbして、その部分の溶解阻止剤を分解するパターン形成方法及びパターン形成装置。

請求項（抜粋）：

溶解阻止剤を含有するレジストを用いるパターン形成方法において、現像後のレジストパターンの表面のみを選択的に処理して、その部分の溶解阻止剤を分解することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/38

FI (2件)：

H01L 21/30 571 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-282553
  
• 微細パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-269120   出願人：松下電器産業株式会社, 和光純薬工業株式会社
• レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-136434   出願人：日本電気株式会社