半導体電極およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋祥泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-347683
公開番号（公開出願番号）：特開2000-231943
出願日： 1999年12月07日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】半導体の比表面積を低下させることなく,容易に製造することができ,かつ,エネルギー変換効率に優れた,半導体電極およびその製造方法を提供すること。【解決手段】基板10と,基板10の表面に形成された柱状構造を有する半導体よりなる膜12とよりなる。

請求項（抜粋）：

基板と,該基板の表面に形成された柱状構造を有する半導体よりなる膜とよりなることを特徴とする半導体電極。

IPC (3件)：

H01M 14/00 , C23C 14/24 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01M 14/00 P , C23C 14/24 R , H01L 31/04 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

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