特許
J-GLOBAL ID：200903021998135934
電気的構成素子用の基板およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-561281
公開番号（公開出願番号）：特表2004-518299
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
フリップチップ技術で取り付けられた構成素子、とりわけ表面波構成素子に対して収縮の少ないセラミック基板を使用することが提案される。この基板尾上には場合により多層の金属化部が金属析出によって形成される。バンプも自己調整的な金属析出によって形成することができる。
請求項（抜粋）：
フリップチップ技術でバンプ(B)により取り付けられた構成素子チップ(C)を上に有する基板において、
基板(S)は狂いの少ないセラミックの少なくとも1つの層を含んでおり、
少なくとも1つの層を通るスルーコンタクト部(D)が設けられており、
該スルーコンタクト部の上には、第1の金属化部が大面積の接続面として配置されており、
基板と接続面とはチップ側で光構造化可能な層により覆われており、
該層には開口部が配置されており、
アンダーバンプ金属化部(M1)が前記開口部に設けられており、
該アンダーバンプ金属化部は接続面と、およびひいてはスルーコンタクト部と接続されており、
前記バンプ(B)は導電的に、または無電流でアンダーバンプ金属化部に析出されている、
ことを特徴とする基板。
IPC (4件)：
H01L21/60
, H01L23/12
, H03H9/145
, H03H9/25
H01L21/60 311Q
, H01L23/12 501B
, H01L23/12 501T
, H03H9/145 C
, H03H9/25 A
5F044KK04
, 5F044KK07
, 5F044KK16
, 5F044KK18
, 5F044KK19
, 5F044LL13
, 5J097DD29
, 5J097HA03
, 5J097HA04
, 5J097JJ09
, 5J097KK09
