特許
J-GLOBAL ID:200903021999356195
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-185684
公開番号(公開出願番号):特開2002-094077
出願日: 2001年06月19日
公開日(公表日): 2002年03月29日
要約:
【要約】【課題】 非晶質半導体膜を結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向性を高め、そのような結晶質半導体膜を用いたTFTを提供することを目的とする。【解決手段】 シリコンを主成分とする半導体層でTFTが形成されている半導体装置において、半導体層はチャネル形成領域と、一導電型の不純物が添加された不純物領域を有し、チャネル形成領域は、反射電子線回折パターン法で検出される{101}面の半導体膜の表面となす角が10度以内である割合が20%以上であり、かつ、{001}面の半導体膜の表面となす角が10度以内である割合が3%以下であり、かつ、{111}格子面の半導体膜の表面となす角が10度以内である割合が5%以下であり、かつ、二次イオン質量分析法において検出される窒素及び炭素の濃度が5×1018/cm3未満であり、酸素の濃度が1×1019/cm3未満とする。
請求項(抜粋):
シリコンを主成分とし、ゲルマニウムを含有する結晶質半導体膜で薄膜トランジスタが形成されている半導体装置において、前記結晶質半導体膜は、チャネル形成領域と、一導電型の不純物が添加された不純物領域を有し、前記チャネル形成領域は、反射電子線回折パターン法で検出される{101}面の前記結晶質半導体膜の表面となす角が10度以内である割合が20%以上であり、かつ、{001}面の前記結晶質半導体膜の表面となす角が10度以内である割合が3%以下であり、かつ、{111}格子面の前記結晶質半導体膜の表面となす角が10度以内である割合が5%以下であり、かつ、二次イオン質量分析法において検出される窒素及び炭素の濃度が5×1018/cm3未満であり、酸素の濃度が1×1019/cm3未満であることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件):
H01L 29/786
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 330
, G09F 9/30 338
, G09F 9/35
, H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 21/8238
, H01L 27/08 331
, H01L 27/092
FI (12件):
G02F 1/1368
, G09F 9/30 330 Z
, G09F 9/30 338
, G09F 9/35
, H01L 21/20
, H01L 27/08 331 E
, H01L 29/78 620
, H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 613 A
, H01L 27/08 321 C
Fターム (136件):
2H092GA50
, 2H092HA28
, 2H092JA24
, 2H092JA26
, 2H092JA34
, 2H092JA46
, 2H092JB57
, 2H092JB58
, 2H092JB61
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KA07
, 2H092KA10
, 2H092KB24
, 2H092KB25
, 2H092LA06
, 2H092MA04
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA15
, 2H092MA29
, 2H092MA30
, 2H092NA24
, 2H092NA29
, 2H092PA01
, 2H092PA06
, 2H092RA05
, 2H092RA10
, 5C094AA10
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094CA20
, 5C094EA04
, 5C094EA07
, 5C094JA01
, 5C094JA09
, 5F048AB03
, 5F048AB07
, 5F048AC04
, 5F048BA10
, 5F048BA14
, 5F048BA16
, 5F048BB05
, 5F048BC16
, 5F048BG05
, 5F052AA02
, 5F052AA12
, 5F052AA24
, 5F052BA02
, 5F052BB07
, 5F052CA07
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052DA03
, 5F052EA16
, 5F052FA06
, 5F052HA06
, 5F052JA01
, 5F052JA04
, 5F110AA01
, 5F110AA26
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE14
, 5F110EE23
, 5F110EE28
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG17
, 5F110GG25
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110GG51
, 5F110GG52
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HM12
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN35
, 5F110NN73
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP06
, 5F110PP10
, 5F110PP13
, 5F110PP23
, 5F110PP29
, 5F110PP31
, 5F110PP34
, 5F110PP35
, 5F110QQ04
, 5F110QQ09
, 5F110QQ11
, 5F110QQ19
, 5F110QQ23
, 5F110QQ24
, 5F110QQ25
, 5F110QQ28
引用特許:
審査官引用 (2件)
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半導体装置及びその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-255497
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-156697
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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