特許
J-GLOBAL ID：200903039235589566

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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宮永 昭治

宮永 昭治 について

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三津木 亨

三津木 亨 について

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大谷 久

大谷 久 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-156697
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354445
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 絶縁表面に単結晶に匹敵する半導体薄膜を形成する。【解決手段】 石英もしくは半導体基板100上に、下地絶縁層104を構成する絶縁膜103を成膜する。絶縁膜103の表面には、基板100の凹部101a〜101dに対応する凹部105a〜105dが形成される。この絶縁膜103表面を平坦化し、下地絶縁層104を形成する。この平坦化処理によって、下地絶縁層104の凹部106a、106b、106d間の距離L1、L2...、Lnは0.3μm以上とし、その深さをそれぞれ10nm以下とする。また下地絶縁膜104の表面の自乗平均面粗さは0.3nm以下にする。これにより、凹部106a、106b、106dにおいて、半導体薄膜の結晶成長が阻害されるされることが回避され、結晶粒界を実質的に消滅できる。
請求項（抜粋）：
珪素を主成分とする複数の棒状または扁平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜を用いた半導体装置であって、前記半導体薄膜の下地となる絶縁物の表面は凹部を有し、隣接する前記凹部間の距離は、棒状または扁平棒状結晶の短辺の幅の3倍以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (4件)
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