特許
J-GLOBAL ID：200903078960378185
半導体装置及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255497
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114527
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 電気特性の優れたTFTを作製し、そのTFTで回路を組むことによって高性能な半導体装置を実現する。【解決手段】 半導体膜に対して熱アニールを行い結晶を含む半導体膜を形成する工程と、結晶を含む半導体膜に対して酸化処理を行う工程と、酸化処理を行った半導体膜に対してレーザーアニール処理を行う工程と、レーザーアニール後の半導体膜に対してファーネスアニール処理を行う工程とを有する。レーザーアニール処理は250〜5000mJ/cm2のエネルギー密度で行われる。
請求項（抜粋）：
結晶を含む半導体膜を活性層とするTFTで形成された回路を有する半導体装置であって、前記結晶を含む半導体膜のラマンピーク値は517〜520cm-1であり、半値半幅は2.2〜3.0cm-1であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 29/78 618 Z
5F052AA02
, 5F052AA24
, 5F052BB07
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052DB02
, 5F052EA01
, 5F052EA16
, 5F052HA06
, 5F052HA07
, 5F052JA10
, 5F052JB04
