特許
J-GLOBAL ID：200903022051869000
ランプアニール装置とその処理温度制御システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334438
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156010
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造ラインにおいて使用するランプアニール装置の処理条件(ウェーハ面内の温度)を、製品の前工程までの出来映え(作業履歴)から自動で決定し、最終的な製品のトランジスタ特性を調整するように処理条件を変更することが可能なランプアニール装置とその処理温度を制御するシステムを提供する。【解決手段】 ウェーハの処理室と、ウェーハを加熱するランプ部と、ウェーハの温度を測定する温度計とを具備するランプアニール装置であって、任意の製品の任意ランプアニール工程のトランジスタ特性データを記憶する記憶部(4)と、データを演算する演算部(5)と、記憶部よりデータを受け取りランプアニール装置を制御する制御部(3)とを備え、かつ、ランプ部は複数のゾーンに分割されており、それぞれのゾーンごとに出力の調整が可能であるとともに、温度計は、ウェーハのランプ部の各ゾーンに対応する部分の温度を測定可能であるランプアニール装置(2)を用いる。
請求項（抜粋）：
ウェーハの処理室と、ウェーハを加熱するランプ部と、ウェーハの温度を測定する温度計とを具備するランプアニール装置であって、任意の製品の任意ランプアニール工程のトランジスタ特性データを記憶する記憶部と、データを演算する演算部と、記憶部よりデータを受け取りランプアニール装置を制御する制御部とを備え、かつ、前記ランプ部は複数のゾーンに分割されており、それぞれのゾーンごとに出力の調整が可能であるとともに、前記温度計は、ウェーハの前記ランプ部の各ゾーンに対応する部分の温度を測定可能であることを特徴とするランプアニール装置。
引用特許：
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