特許
J-GLOBAL ID：200903022056279791
不揮発性半導体メモリおよびそのデータ書込方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258669
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106277
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 従来の不揮発性半導体メモリの一つの書込方法は、同一ワード線に接続された全てのメモリセルに多値情報を書き込む時間が長く、もう一つの書込方法は、セルVt分布幅が広いという問題を有していた。【解決手段】 本発明の不揮発性半導体メモリは、浮游ゲート・ソース間電圧を制御して3種類以上の閾値が設定されるメモリセルトランジスタを有する不揮発性半導体メモリであって、浮游ゲートの電圧を一定にし、ソースに印加される電圧を変化させる。
請求項（抜粋）：
浮游ゲート・ソース間電圧を制御して3種類以上の閾値が設定されるメモリセルトランジスタを有する不揮発性半導体メモリであって、前記浮游ゲートの電圧を一定にし、前記ソースに印加される電圧を変化させることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
FI (2件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 611 E
