特許

J-GLOBAL ID：200903022060530865

半導体装置

発明者： 蔵口 雅彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-209298
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032650
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 低いオン抵抗を有するノーマリーオフ型半導体装置を歩留まりよく作製できる半導体装置を提供する。【解決手段】 InXGa1-XN(0≦X≦1)からなるキャリア走行層1と、キャリア走行層1上に積層され、その一部を除去することで形成されたリセス構造10を有する、もしくはn型のInYAlZGa1-Y-ZN(0 請求項（抜粋）：

InXGa1-XN(0≦X≦1)からなるキャリア走行層と、 前記キャリア走行層上に積層され、その一部を除去することで形成されたリセス構造を有するInYAlZGa1-Y-ZN(0 IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (2件)：

H01L29/80 Q ,  H01L29/80 H

Fターム (17件)：

5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022516   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-090490   出願人：松下電器産業株式会社
• 電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084933   出願人：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社

審査官引用 (3件)

• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022516   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-090490   出願人：松下電器産業株式会社
• 電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084933   出願人：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社