特許
J-GLOBAL ID：200903022060530865
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-209298
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032650
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 低いオン抵抗を有するノーマリーオフ型半導体装置を歩留まりよく作製できる半導体装置を提供する。【解決手段】 InXGa1-XN(0≦X≦1)からなるキャリア走行層1と、キャリア走行層1上に積層され、その一部を除去することで形成されたリセス構造10を有する、もしくはn型のInYAlZGa1-Y-ZN(0<Y≦1、0<Z≦1)からなる障壁層2とを有する電界効果トランジスタにおいて、リセス構造10における障壁層膜厚が、16.4×(1-1.27×Z+0.68×(Y-X))/(Z-4.66×(Y-X))以下である【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
InXGa1-XN(0≦X≦1)からなるキャリア走行層と、
前記キャリア走行層上に積層され、その一部を除去することで形成されたリセス構造を有するInYAlZGa1-Y-ZN(0<Y≦1、0<Z≦1)からなる障壁層と、
を有する電界効果トランジスタにおいて、
前記リセス構造における障壁層膜厚が、16.4×(1-1.27×Z+0.68×(Y-X))/(Z-4.66×(Y-X))以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/778
H01L29/80 Q
, H01L29/80 H
5F102FA01
, 5F102FA02
, 5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GL04
, 5F102GL09
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GM08
, 5F102GM10
, 5F102GN04
, 5F102GN10
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102HC01
