電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084933
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277724
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】ソース電極-ゲート電極間及びドレイン電極-ゲート電極間の寄生抵抗、及びソース電極及びドレイン電極における接触抵抗を低減することができ、しきい値電圧の異なるノーマリオン型とノーマリオフ型を同一基板上に形成することができる電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に窒化ガリウム系の化合物半導体からなるチャネル層23を備え、チャネル層23上にソース電極25、ドレイン電極26及びゲート電極27を備えてなる電界効果トランジスタにおいて、チャネル層23上に、チャネル層23より不純物濃度の高い窒化ガリウム系の化合物半導体からなるコンタクト層24を連続して形成してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化ガリウム系の化合物半導体からなるチャネル層を備え、該チャネル層上にソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を備えてなる電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層上に、該チャネル層より不純物濃度の高い窒化ガリウム系の化合物半導体からなるコンタクト層を連続して形成してなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/3065 , H01L 27/095

FI (3件)：

H01L 29/80 H , H01L 21/302 F , H01L 29/80 E

Fターム (29件)：

5F004BA04 , 5F004DA11 , 5F004DB03 , 5F004DB19 , 5F004EA10 , 5F004EA17 , 5F004EB02 , 5F004EB04 , 5F004FA01 , 5F102FA03 , 5F102FA09 , 5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS02 , 5F102GT03 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC19

引用特許：

審査官引用 (6件)

窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-066536 出願人：ソニー株式会社
化合物半導体装置及びその特性の制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-073396 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭60-244075

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