エピタキシャルウェハ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：絹谷信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-317872
公開番号（公開出願番号）：特開2000-143384
出願日： 1998年11月09日
公開日（公表日）： 2000年05月23日
要約：

【要約】【課題】バックラップが不要な薄さを有し、しかも割れにくいエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】垂直ブリッジマン法(VB法、VGF法)によって製造されたEPD≦500個/cm2 の低転位のGaAs基板1の上にエピタキシャル成長を行うことにより得られるエピタキシャルウェハは、ボート法によって得られるEPDが10,000個/cm2 の基板と比較すると、強度的に強く、直径が3インチ、4インチでありながら、200μm以下の厚さのエピタキシャルウェハにしても割れにくい。

請求項（抜粋）：

垂直ブリッジマン法によって製造されたエピタキシャルウェハにおいて、転位密度500個/cm2 以下の低転位基板の上にエピタキシャル成長させたことを特徴とするエピタキシャルウェハ。

IPC (4件)：

C30B 11/00 , C30B 29/40 , H01L 21/208 , H01L 33/00

FI (5件)：

C30B 11/00 Z , C30B 29/40 A , H01L 21/208 T , H01L 33/00 A , H01L 33/00 B

Fターム (33件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB10 , 4G077BE42 , 4G077BE45 , 4G077BE47 , 4G077CD02 , 4G077ED04 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA34 , 5F041CA36 , 5F041CA48 , 5F041CA57 , 5F041CA63 , 5F041CA65 , 5F053AA09 , 5F053AA11 , 5F053BB52 , 5F053DD05 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053FF02 , 5F053GG01 , 5F053HH01 , 5F053HH04 , 5F053JJ01 , 5F053JJ03 , 5F053KK03 , 5F053LL02 , 5F053RR04 , 5F053RR07 , 5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-016119
化合物半導体結晶基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-300724 出願人：住友電気工業株式会社
p型GaAs単結晶およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-192042 出願人：三菱化学株式会社

全件表示

前のページに戻る