半導体製造装置及び化合物半導体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-147834
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343723
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】原料ガスを半導体基板上に均一に流すことができる半導体製造装置及び化合物半導体製造方法を提供すること。【解決手段】化合物半導体をMOCVD法を用いて製造するための半導体製造装置において、原料ガス供給装置から供給される原料ガスを反応装置内に設けられている半導体基板表面に向けて導入するための導入部材4を設け、導入部材4の本体41を中空体として原料ガスをX方向に案内するための原料ガス案内路を設けると共に複数の開口部48を設け、原料ガス案内路内の原料ガスが開口部48からX方向とは直角のY方向に向けて吹き出すようにし、半導体基板がこのようにして導入部材4から吹き出される均一な量の原料ガス流に浸るようにした。

請求項（抜粋）：

原料ガス供給装置と、該原料ガス供給装置からの原料ガスを受け取り有機金属熱分解法により半導体基板に薄膜結晶層を形成するための反応装置とを備えて成る半導体製造装置において、前記原料ガス供給装置から受け取った原料ガスを前記半導体基板の表面に供給するため前記反応装置内に設けられた導入部材を有し、該導入部材は、前記原料ガス供給装置からの原料ガスを所定の第1の方向に案内するための中空案内路と、前記第1の方向と略直角な第2の方向に前記原料ガスを該中空案内路から吹き出させるためのガス吹出口とを有し、前記半導体基板が該ガス吹出口からの原料ガス流によって浸されるようになっていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 25/14

FI (2件)：

H01L 21/205 , C30B 25/14

Fターム (20件)：

4G077AA03 , 4G077DB08 , 4G077EG23 , 4G077TG04 , 4G077TG13 , 4G077TH11 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AF04 , 5F045BB02 , 5F045EC09 , 5F045EE20 , 5F045EF04 , 5F045EJ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-012522
特開平3-203317
ガスノズル
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-233545 出願人：三菱重工業株式会社

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