特許
J-GLOBAL ID：200903022077764479

半導体レーザダイオード

発明者：
岡本 國美

岡本 國美 について

, 
田中 良宜

田中 良宜 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-337218
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158807
出願日： 2007年12月27日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】半極性面を主面とする活性層で発生した偏光を、しきい値の上昇を抑制して出力できる半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】半極性面を主面とする窒化物半導体からなる活性層30と、活性層30の主面と平行に配置された第1の反射膜20と、活性層30を挟んで第1の反射膜20と対向して配置された第2の反射膜40とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半極性面を主面とする窒化物半導体からなる活性層と、 前記主面と平行に配置された第1の反射膜と、 前記活性層を挟んで前記第1の反射膜と対向して配置された第2の反射膜と を備えることを特徴とする半導体レーザダイオード。
IPC (2件)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01S5/183 ,  H01S5/343 610
Fターム (15件)：
5F173AC03 ,  5F173AC04 ,  5F173AC13 ,  5F173AC14 ,  5F173AC26 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AF13 ,  5F173AF15 ,  5F173AH22 ,  5F173AP24 ,  5F173AR03 ,  5F173AR43 ,  5F173AR82
引用特許：
審査官引用 (3件)

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