特許
J-GLOBAL ID：200903039959846803

半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体発光装置

発明者：
澤木 宣彦

澤木 宣彦 について

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伊藤 茂稔

伊藤 茂稔 について

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小出 典克

小出 典克 について


出願人/特許権者：
澤木 宣彦

澤木 宣彦 について

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シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-186070
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031657
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】窒化物系半導体を用い、偏光方向が制御された垂直共振器型半導体レーザや、効率の高い垂直共振器型半導体レーザ、レゾナントキャビティー型発光素子等の半導体発光素子および該半導体発光素子を有する半導体発光装置を実用レベルで実現する。【解決手段】垂直共振器型である半導体発光素子は、シリコン基板1上に形成され(1-101)面を主面として有し窒化物半導体であるn-GaN層102と、n-GaN層102上に形成され下部クラッド層であるスペーサ層104と、スペーサ層104上に形成された量子井戸活性層105と、量子井戸活性層105上に形成され上部クラッド層であるスペーサ層107を有する。上記量子井戸活性層105の主面の面方位は(1-101)である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
窒化物半導体を含む活性層と、該活性層を挟むクラッド層とを有し、前記活性層とクラッド層の積層方向に共振器を有する半導体発光素子において、前記活性層の主面の面方位が(1-101)であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01S5/183 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343
FI (4件)：
H01S5/183 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
Fターム (53件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA22 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DA19 ,  5F041DA76 ,  5F041DB06 ,  5F041EE25 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073BA05 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB08 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA31 ,  5F073DA35 ,  5F073EA22 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (8件)
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