特許
J-GLOBAL ID:200903022101057835

セラミック基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-244047
公開番号(公開出願番号):特開2001-068600
出願日: 1999年08月30日
公開日(公表日): 2001年03月16日
要約:
【要約】【課題】 メタライズ導体が緻密に焼結せずに、メタライズ導体の表面にめっきを施すとメタライズ導体の変色やめっきの膨れが発生する。【解決手段】 タングステン(W)を主成分とし、酸化銀(Ag2 O)を1〜5重量%含有するメタライズ導体2を、酸化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体1に固着させてなることを特徴とするセラミック基板である。酸化銀がタングステンの焼結を促進することにより、メタライズ導体2はその表面や内部に空隙が少なく緻密に焼結し、さらに電気抵抗が低く、かつ絶縁基体1への固着強度が大きいものとなる。
請求項(抜粋):
タングステン(W)を主成分とし、酸化銀(Ag2 O)を1〜5重量%含有するメタライズ導体を、酸化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体に固着させて成ることを特徴とするセラミック基板。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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