特許

J-GLOBAL ID：200903022166634953

マイクロデバイスのフィルタ構造およびその製造方法

発明者： 宮下 治三 ,  葭村 昭子 ,  江刺 正喜
出願人/特許権者： アネルバ株式会社 ,  江刺 正喜
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-150747
公開番号（公開出願番号）：特開平11-326092
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造プロセス技術により作られるマイクロセンサまたはマイクロアクチュエータ等のマイクロデバイスにおいて気体または流体の導入口を介して微小なゴミが内部空間へ入るのを防止し、デバイスの信頼性を高め、寿命を長くする。【解決手段】 真空センサ21はシリコン基板24とその両側に固定されたパイレックス基板25,26 からなる積層構造を有する。中間のシリコン基板24には圧力を受ける電極部1が設けられる。パイレックス基板25に内部空間S1と外部を通じる導入口22が形成され、この導入口を通して外部から内部空間S1に気体または流体が導入される。シリコン基板に半導体製造プロセス技術を応用して例えば格子状孔からなるフィルタ23を作り、このフィルタ23を陽極接合によって導入口の内側開口部に設ける。

請求項（抜粋）：

外部と内部空間を連通する孔が形成された絶縁性外側基板を備え、前記孔を通して外部から前記内部空間に気体または流体を導入するように構成されたマイクロデバイスにおいて、導電性材料基板に半導体製造プロセスを適用して作られた複数の微細孔からなるフィルタを前記絶縁性外側基板の前記孔に陽極接合で固定したことを特徴とするマイクロデバイスのフィルタ構造。

IPC (5件)：

G01L 9/12 ,  B01D 46/00 ,  G01L 1/14 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

G01L 9/12 ,  B01D 46/00 ,  G01L 1/14 A ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/306 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 差圧測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-094151   出願人：横河電機株式会社
• 差圧測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-249081   出願人：横河電機株式会社