特許
J-GLOBAL ID：200903022182185204

III族窒化物系化合物半導体素子

発明者：
小池 正好

小池 正好 について

, 
山崎 史郎

山崎 史郎 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247248
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077423
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】半導体層にクラック、そり、或いはミスフィットによる転位の発生しないIII族窒化物半導体素子を提供すること。【解決手段】III族窒化物半導体素子の基板として窒化アルミニウムガリウム(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N、0<x<1)基板1を用いる。発光ダイオードやレーザダイオードにおいては、クラッド層2及び4として窒化アルミニウムガリウム(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N、0<x<1)を積層する際、厚膜のクラッド層を形成してもクラックが発生しにくくなる。窒化アルミニウムガリウム(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N、0<x<1)基板1のアルミルニウム組成は形成するIII族窒化物半導体素子の窒化アルミニウムガリウム(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N、0<x<1)層2及び4の組成に近いものとすることでクラックの発生を更に小さいものとすることができる。
請求項（抜粋）：
基板表面又は基板表面及び裏面にIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成されたIII族窒化物系化合物半導体素子において、基板に窒化アルミニウムガリウム(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N, 0<x<1)を用いたことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L 33/00 M ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
Fターム (32件)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF05 ,  5F045BB11 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EE12 ,  5F045GH09 ,  5F045HA14 ,  5F045HA17 ,  5F073AA45 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (4件)
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