特許

J-GLOBAL ID：200903022183652965

基板の処理方法

発明者： 大淵 一人 ,  水谷 薫 ,  松下 淳
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 小山 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-033246
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237488
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 ロードロック室を備えた処理装置の待機室内でのプラズマの発生を防止する。【解決手段】 待機室2及び処理チャンバー3内を数Pa(パスカル)まで減圧し、載置テーブル22を上昇させて処理チャンバー3内に未処理の基板を臨ませるとともに処理チャンバー3の下端開口を載置テーブル22で機密に閉じる。この後、配管21を用いて待機室2内に窒素ガスを導入して待機室2内を200〜3000Paまで圧力を高め、これと並行して処理チャンバー3内にアッシング用ガスを導入する。その結果、処理チャンバー3内の圧力は100Pa程度になる。この状態で処理チャンバー3の電極に高周波を印加し、処理チャンバー3内にプラズマを発生せしめ、基板Wをアッシング処理する。

請求項（抜粋）：

基板を減圧下で処理する処理部を、プラズマを発生する処理チャンバーと待機室とで構成し、待機室にロードロック室を付設した処理装置を用いた基板の処理方法において、前記処理チャンバー内を減圧状態としプラズマを発生させて基板を処理している間は、前記待機室内の圧力をプラズマが発生しない圧力まで高めておくことを特徴とする基板の処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  B65G 49/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

B65G 49/00 A ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A

Fターム (22件)：

5F004AA16 ,  5F004BA01 ,  5F004BC05 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031FA01 ,  5F031FA02 ,  5F031FA07 ,  5F031FA14 ,  5F031GA02 ,  5F031GA47 ,  5F031GA49 ,  5F031GA50 ,  5F031HA58 ,  5F031MA03 ,  5F031MA32 ,  5F031NA04 ,  5F031NA07 ,  5F031PA26 ,  5F046MA12

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 基板の処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-301400   出願人：東京応化工業株式会社
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-312336   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 減圧処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-344738   出願人：東京応化工業株式会社
• 特開昭61-271836
  

審査官引用 (2件)

• 基板の処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-301400   出願人：東京応化工業株式会社
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-312336   出願人：東京エレクトロン株式会社