特許
J-GLOBAL ID:200903022224809505
発光装置及びそれを用いた照明装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-056993
公開番号(公開出願番号):特開2004-266201
出願日: 2003年03月04日
公開日(公表日): 2004年09月24日
要約:
【課題】350-415nmの光を発生する励起源と蛍光体を組み合わせ、かつ、高い発光強度を有する発光装置を提供する。【解決手段】350-415nmの光を発生する励起源と蛍光体を組み合わせた装置において、Euで付活された結晶相を有しており、かつ、次の1及び/又は2の条件を満たす蛍光体を使用した発光装置。1.350-415nmのいずれかの励起波長で最大発光強度となるEu濃度が、254nmの励起波長で最大発光強度となるEu濃度よりも高い結晶相であって、254nmの励起波長で最大発光強度となる濃度の1.1倍以上の濃度であり、かつ、400nmで最大発光強度となる濃度の0.5倍〜9倍の濃度のEuで付活されている結晶相を含む蛍光体。2.結晶母体中のEu濃度から計算されるEu-Eu間平均距離が4Å以上11Å以下である結晶相を含む蛍光体。【選択図】 なし。
請求項(抜粋):
350-415nmの光を発生する第1の発光体と、当該第1の発光体からの光の照射によって可視光を発生する第2の発光体とを有する発光装置において、前記第2の発光体が、Euで付活された結晶相を有する蛍光体を含有しており、かつ、該蛍光体は、次の1及び/又は2の条件を満たしていることを特徴とする発光装置。
1.(a)350-415nmのいずれかの励起波長で最大発光強度となるEu濃度が、254nmの励起波長で最大発光強度となるEu濃度よりも高い結晶相であって、(b)254nmの励起波長で最大発光強度となる濃度の1.1倍以上、かつ、400nmで最大発光強度となる濃度の0.5倍〜9倍の濃度のEuで付活されている結晶相を含有する蛍光体。
2.結晶母体中のEu濃度から計算されるEu-Eu間平均距離が4Å以上11Å以下である結晶相を含有する蛍光体。
IPC (5件):
H01L33/00
, C09K11/08
, C09K11/62
, C09K11/64
, C09K11/78
FI (5件):
H01L33/00 N
, C09K11/08 J
, C09K11/62
, C09K11/64
, C09K11/78
Fターム (35件):
4G076AA02
, 4G076AA18
, 4G076AB02
, 4G076AB06
, 4G076AB09
, 4G076AC04
, 4G076BA38
, 4G076DA11
, 4H001CA02
, 4H001CA05
, 4H001XA07
, 4H001XA08
, 4H001XA11
, 4H001XA12
, 4H001XA13
, 4H001XA19
, 4H001XA20
, 4H001XA21
, 4H001XA23
, 4H001XA25
, 4H001XA30
, 4H001XA31
, 4H001XA38
, 4H001XA39
, 4H001XA40
, 4H001XA49
, 4H001XA56
, 4H001XA62
, 4H001XA71
, 4H001XA82
, 4H001YA63
, 5F041AA04
, 5F041CA40
, 5F041EE25
, 5F041FF11
引用特許:
審査官引用 (7件)
-
アルミン酸塩蛍光体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-193141
出願人:三菱化学株式会社, 化成オプトニクス株式会社
-
半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-357643
出願人:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
-
蛍光体及びそれを用いた表示装置並びに光源
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-278669
出願人:株式会社日立製作所
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