特許
J-GLOBAL ID:200903022235660309

少数キャリアのライフタイム測定装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 本庄 武男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-177912
公開番号(公開出願番号):特開平11-026532
出願日: 1997年07月03日
公開日(公表日): 1999年01月29日
要約:
【要約】【課題】 比抵抗の小さい半導体試料を対象とする測定や,短波長の検出用電磁波を用いた測定においても,高感度で測定を行うことが可能な少数キャリアのライフタイム測定装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハへ照射された検出用電磁波の反射波の上記パルス励起光照射前後の変化に基づいて半導体ウェーハの少数キャリアのライフタイムを測定する少数キャリアのライフタイム測定装置において,入射角調整手段により,上記半導体ウェーハの裏面側から入射した上記検出用電磁波を,該半導体ウェーハの表面に対して臨界角未満の近傍の角度で入射させる。上記入射角は,臨界角に近づくにつれ検出感度が高くなるため,本測定装置により垂直入射の場合に比べて高感度で測定することが可能となる。これにより,比抵抗の小さい半導体試料を対象とする測定や,短波長の検出用電磁波を用いた測定においても,高感度で測定を行うことが可能となる。
請求項(抜粋):
半導体ウェーハの表面に励起光を照射するパルス励起光照射手段と,上記パルス励起光照射手段により励起光が照射される半導体ウェーハの領域に検出用電磁波を放射する検出用電磁波放射手段と,半導体ウェーハにて反射された上記検出用電磁波の反射波を検出する検出手段とを具備し,上記反射波の上記パルス励起光照射前後の変化に基づいて半導体ウェーハの少数キャリアのライフタイムを測定する少数キャリアのライフタイム測定装置において,上記半導体ウェーハの裏面より入射させられた上記検出用電磁波を,該半導体ウェーハの表面に,臨界角未満の近傍の角度で入射させる入射角調整手段とを具備してなることを特徴とする少数キャリアのライフタイム測定装置。
IPC (2件):
H01L 21/66 ,  G01N 22/00
FI (2件):
H01L 21/66 N ,  G01N 22/00 Z
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開昭57-027043
  • 半導体ウエハの評価方法及びその装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-017649   出願人:株式会社レオ技研, ル・エール・リクイツド・ソシエテ・アノニム・プール・ル・エチユド・エ・ル・エクスプルワテシヨン・デ・プロセデ・ジエオルジエ・クロード
  • 少数キャリアのライフタイム測定装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-177911   出願人:株式会社神戸製鋼所

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