特許

J-GLOBAL ID：200903054380830475

少数キャリアのライフタイム測定装置

発明者： 高松 弘行 ,  吉田 尚幸 ,  住江 伸吾
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177911
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026531
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 比抵抗の小さい半導体試料や,短波長の検出用電磁波を用いた測定でも,高感度で測定が可能な少数キャリアのライフタイム測定装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハ12へ照射された検出用電磁波16の反射波のパルス励起光照射2前後の変化に基づいた半導体ウェーハの少数キャリアのライフタイム測定装置において,偏波手段5により検出用電磁波の電場ベクトルが入射面と平行になるように調整し,入射角調整手段4により検出用電磁波を,半導体ウェーハにウェーハに対するブリュースタ角近傍の角度で入射させる。検出用電磁波をその電場ベクトルが入射面と平行になるようにウェーハに入射させた場合には,入射角がブリュースタ角に近づくにつれ検出感度が高くなるため,垂直入射の場合に比べて高感度で測定できる。従って比抵抗の小さい半導体試料の測定や,短波長の検出用電磁波を用いた測定でも,高感度で測定可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハに励起光を照射するパルス励起光照射手段と,上記パルス励起光照射手段により励起光が照射される半導体ウェーハの領域に検出用電磁波を放射する検出用電磁波放射手段と,半導体ウェーハにて反射された上記検出用電磁波の反射波を検出する検出手段とを具備し,上記反射波の上記パルス励起光照射前後の変化に基づいて半導体ウェーハの少数キャリアのライフタイムを測定する少数キャリアのライフタイム測定装置において,上記検出用電磁波放射手段により放射され上記半導体ウェーハに入射する上記検出用電磁波の電場ベクトルが入射面と平行になるように調整する偏波手段と,上記検出用電磁波を,上記半導体ウェーハに対して,該半導体ウェーハに対するブリュースタ角近傍の角度で入射させる入射角調整手段とを具備してなることを特徴とする少数キャリアのライフタイム測定装置。但し,入射角=ブリュースタ角の場合を除く。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 22/00

FI (2件)：

H01L 21/66 M ,  G01N 22/00 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウエハの評価方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-017649   出願人：株式会社レオ技研, ル・エール・リクイツド・ソシエテ・アノニム・プール・ル・エチユド・エ・ル・エクスプルワテシヨン・デ・プロセデ・ジエオルジエ・クロード
• 光学測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-210897   出願人：東レ株式会社
• 半導体結晶成長速度の測定法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-223082   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-254319