特許
J-GLOBAL ID：200903022257613533
STI用化学機械研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小島 清路
, 谷口 直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-144034
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349426
出願日： 2003年05月21日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】被研磨材の凸部分では研磨速度が高く、凹部分では研磨速度が低く、さらに、平坦性の高い研磨面とするためのSTI用化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】凹凸を有する基板11と、該基板の凸部上に形成された絶縁膜12と、上記基板の凹部及び上記絶縁膜を覆うように形成された埋め込み絶縁層13と、を有し、且つ、表面に凹凸を有する被研磨材の研磨方法において、研磨速度を500Å/分以下とすることのできるスラリー(A)を用い、上記埋め込み絶縁層13を平坦化する第1研磨工程と、研磨速度を600Å/分以上とすることのできるスラリー(B)を用い、上記埋め込み絶縁層を更に研磨し、上記凸部上の絶縁膜12を露出させる第2工程と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
凹凸を有する基板と、該基板の凸部上に形成されたストッパー層と、上記基板の凹部及び上記ストッパー層を覆うように形成された埋め込み絶縁層と、を有し、且つ、表面に凹凸を有する被研磨材の研磨方法において、
研磨速度を500Å/分以下とすることのできるスラリー(A)を用い、上記埋め込み絶縁層を平坦化する第1研磨工程と、
研磨速度を600Å/分以上とすることのできるスラリー(B)を用い、上記埋め込み絶縁層を更に研磨し、上記凸部上のストッパー層を露出させる第2工程と、
を備えることを特徴とするSTI用化学機械研磨方法。
IPC (3件)：
H01L21/304
, B24B37/00
, C09K3/14
H01L21/304 622X
, H01L21/304 621D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
3C058AA07
, 3C058AC04
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058DA17
