特許

J-GLOBAL ID：200903022267965411

セラミックス基板のメタライズ方法、セラミックス回路基板の製造方法及びセラミックス回路基板

発明者： 川原 正人 ,  柳本 博 ,  齋藤 諭 ,  高橋 広明 ,  小山 雅也 ,  川原 智之
出願人/特許権者： 三ツ星ベルト株式会社 ,  松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333702
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141639
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 セラミックス基板の表面を粗化する必要がなく、膜厚制御が容易であり、しかも微粒子を触媒として無電解めっきの析出性を向上することができる、セラミックス基板のメタライズ方法を提供する。【解決手段】 金属及び金属酸化物から選択され粒径が1〜500nmである少なくとも一種の微粒子を含む微粒子分散層を、セラミックス基板1表面に形成する。この微粒子分散層を空気雰囲気下にて焼成してセラミックス基板1表面に金属酸化物微粒子2を焼き付ける。この金属酸化物微粒子2を還元液に浸漬して金属微粒子4に還元する。この金属微粒子4をめっき触媒核として無電解めっき処理を施すことによりめっき層5を形成する。

請求項（抜粋）：

金属及び金属酸化物から選択され粒径が1〜500nmである少なくとも一種の微粒子を含む微粒子分散層を、セラミックス基板表面に形成し、この微粒子分散層を空気雰囲気下にて焼成してセラミックス基板表面に金属酸化物微粒子を焼き付け、この金属酸化物微粒子を還元液に浸漬して金属微粒子に還元し、この金属微粒子をめっき触媒核として無電解めっき処理を施すことによりめっき層を形成することを特徴とするセラミックス基板のメタライズ方法。

IPC (4件)：

H05K 3/18 ,  C04B 41/88 ,  C23C 18/18 ,  H05K 3/06

FI (6件)：

H05K 3/18 B ,  H05K 3/18 E ,  C04B 41/88 G ,  C04B 41/88 H ,  C23C 18/18 ,  H05K 3/06 A

Fターム (43件)：

4K022AA04 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022CA02 ,  4K022CA06 ,  4K022CA15 ,  4K022CA19 ,  4K022CA22 ,  4K022CA24 ,  4K022DA01 ,  5E339AB06 ,  5E339AD01 ,  5E339AD03 ,  5E339BC01 ,  5E339BC02 ,  5E339BD03 ,  5E339BD08 ,  5E339BD11 ,  5E339BE13 ,  5E339CC01 ,  5E339CD01 ,  5E339CE11 ,  5E339CE12 ,  5E339CE16 ,  5E339CE19 ,  5E339CF15 ,  5E339DD04 ,  5E343AA02 ,  5E343AA23 ,  5E343BB06 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB71 ,  5E343CC71 ,  5E343CC74 ,  5E343DD33 ,  5E343DD34 ,  5E343ER02 ,  5E343ER04 ,  5E343ER07 ,  5E343GG01 ,  5E343GG11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• セラミック基板への銅メタライズ用下地層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-287838   出願人：松下電工株式会社
• 銅導体ペースト及び該銅導体ペーストを印刷した基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-028508   出願人：三ツ星ベルト株式会社