炭化珪素半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-041773
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243422
出願日： 2002年02月19日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】低オン抵抗の高耐圧炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】N+型SiC基板10上に形成され、該基板10よりも低いドーパント濃度のN-型エピタキシャル領域20と、該エピタキシャル領域20の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有するN+型ソース領域30と、エピタキシャル領域20の一主面上の所定領域に、該エピタキシャル層20に接触するように、炭化珪素のバンドギャップと異なるバンドギャップを有する半導体材料により形成されたゲート半導体領域40と、ソース領域30に接触するソース電極60と、ゲート半導体領域40に電圧を印加するゲート電極と、ドレイン電極70とを備える。

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基板上に形成され、前記基板よりも低いドーパント濃度の第一導電型の半導体エピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する第一導電型のソース領域と、前記エピタキシャル層の一主面上の所定領域に、前記エピタキシャル層に接触するように、炭化珪素のバンドギャップと異なるバンドギャップを有する半導体材料により形成されたゲート半導体領域と、前記ソース領域に接触するソース電極と、前記ゲート半導体領域に電圧を印加するゲート電極と、ドレイン電極とを備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/338 , H01L 21/265 , H01L 21/265 604 , H01L 21/28 301 , H01L 29/417 , H01L 29/80 , H01L 29/812

FI (6件)：

H01L 21/265 604 M , H01L 21/28 301 B , H01L 29/80 F , H01L 29/50 J , H01L 21/265 Z , H01L 29/80 V

Fターム (26件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC03 , 4M104DD02 , 4M104DD04 , 4M104DD26 , 4M104DD55 , 4M104FF01 , 4M104FF27 , 4M104GG12 , 5F102FA01 , 5F102GB02 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GD05 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GR11 , 5F102GT03 , 5F102GT08 , 5F102HC01 , 5F102HC02 , 5F102HC07 , 5F102HC18 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (8件)

炭化けい素半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-240773 出願人：富士電機株式会社
特開昭63-108779
特開昭61-147578

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