シンジオタクチック芳香族ビニル系ブロック共重合体およびその製造方法

発明者： , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：藤本英介 (外2名) , 藤本英介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-340355
公開番号（公開出願番号）：特開2002-145973
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】高度のシンジオタクティシティを有するとともに、極性基を有する芳香族ビニル構造単位を必須成分とする重合体セグメントを有し、分子量分布が狭い芳香族ビニル系ブロック共重合体の提供。またその製造方法の提供。【解決手段】下記一般式(1)【化15】(式中、R1 は炭素数3〜30のトリアルキルシリルオキシ基,炭素数4〜31のアルコキシ基又は炭素数3〜30のトリアルキルゲルマニウムオキシ基,mは1〜3の整数であり、mが複数の場合R1 は同一であってもよいし、異なっていてもよい。)で表される1種以上の構造単位からなる重合体セグメント(I)とそれと直列に連結した下記下記一般式(2)【化16】で表される1種以上の構造単位からなる芳香族ビニル系重合体セグメント(II)を有するシンジオタクチック芳香族ビニル系ブロック共重合体であり、各重合体セグメント中のタクティシティがラセミペンタッドで30%以上であり、Mw/Mn≦2.5であること。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)【化1】(式中、R1 は炭素数3〜30のトリアルキルシリルオキシ基,炭素数4〜31のアルコキシ基又は炭素数3〜30のトリアルキルゲルマニウムオキシ基,mは1〜3の整数であり、mが複数の場合R1 は同一であってもよいし、異なっていてもよい。)で表わされる構造単位からなる重合体セグメント(I)を有し、その重合体セグメント(I)中のフェニル基のC1炭素のタクティシティが13C-NMRによるラセミペンタッドで30%以上であるシンジオタクチック構造の芳香族ビニル系重合体セグメント(I)と、下記一般式(2)【化2】(式中、R2は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜30の炭化水素基、または、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、セレン原子、ケイ素原子及び錫原子のいずれか1種以上を含む置換基を示し、nは0〜5の整数を示す。但し、nが複数のときは、各R2は同一でも異なるものであってもよい。)で表される1種以上の構造単位を有する芳香族ビニル系重合体セグメント(II)とが直列に連結した構造を有するシンジオタクチック芳香族ビニル系ブロック共重合体であり、重合体セグメント(II)中のフェニル基のC1炭素のタクティシティが13C-NMRによるラセミペンタッドで30%以上であり、前記重合体セグメント(I)の含有量が1〜99モル%の範囲の間にあり、かつ、当該ブロック共重合体の数平均分子量(Mn)が下記式(3)の範囲にあり、数平均分子量(Mn)と重量平均分子量(Mw)との関係が下記式(4)を満足することを特徴とするシンジオタクチック芳香族ビニル系ブロック共重合体。 1200≦Mn≦20000000 (3) Mw/Mn≦2.5 (4)

IPC (5件)：

C08F297/08 , C08F 4/642 , C08F 4/643 , C08F 4/645 , C08F 4/68

FI (5件)：

C08F297/08 , C08F 4/642 , C08F 4/643 , C08F 4/645 , C08F 4/68

Fターム (67件)：

4J026HA06 , 4J026HA08 , 4J026HA27 , 4J026HA39 , 4J026HB06 , 4J026HB08 , 4J026HB39 , 4J026HE01 , 4J028AA01A , 4J028AA02A , 4J028AB01A , 4J028AB02A , 4J028AC10A , 4J028AC20A , 4J028AC28A , 4J028AC29A , 4J028AC39A , 4J028BA00A , 4J028BA01B , 4J028BA02B , 4J028BA03B , 4J028BA04B , 4J028BB00A , 4J028BB01B , 4J028BB02B , 4J028BC01B , 4J028BC06B , 4J028BC12B , 4J028BC19B , 4J028BC25B , 4J028BC27B , 4J028EA02 , 4J028EB21 , 4J028EC01 , 4J028ED06 , 4J028GA12 , 4J028GB01 , 4J128AA01 , 4J128AA02 , 4J128AB01 , 4J128AB02 , 4J128AC10 , 4J128AC20 , 4J128AC28 , 4J128AC29 , 4J128AC39 , 4J128AD00 , 4J128BA00A , 4J128BA01B , 4J128BA02B , 4J128BA03B , 4J128BA04B , 4J128BB00A , 4J128BB01B , 4J128BB02B , 4J128BC01B , 4J128BC06B , 4J128BC12B , 4J128BC19B , 4J128BC25B , 4J128BC27B , 4J128EA02 , 4J128EB21 , 4J128EC01 , 4J128ED06 , 4J128GA12 , 4J128GB01

引用特許：

出願人引用 (3件)

フォトレジスト組成物とその工業製品
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-340354 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 財団法人化学技術戦略推進機構
スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-128596 出願人：出光興産株式会社
スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-127044 出願人：出光興産株式会社

前のページに戻る