特許
J-GLOBAL ID：200903022322246667
有機絶縁膜のパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-020594
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219949
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 パターン崩れを起こすことなく厚い有機絶縁膜をパターン形成する。【解決手段】 半導体基板1上に非感光性樹脂11を形成し、その上層に感光性樹脂12を形成してプリベークし、フォトマスク3を介して露光した後、アルカリ現像液で感光性樹脂12の現像処理と非感光性樹脂11のエッチングを連続的に行ってパターニングし、感光性樹脂12と非感光性樹脂11を一緒に熱硬化する。この結果、非感光性樹脂11の膜厚を薄くしても、良好な有機絶縁膜のパターンを厚く形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に非感光性樹脂を塗布し前記非感光性樹脂をプリベークして第1の樹脂層を形成する第1の工程と、前記第1の樹脂層の上に感光性樹脂を塗布し前記感光性樹脂をプリベークして第2の樹脂層を形成する第2の工程と、その後、フォトマスクを介して前記第2の樹脂層を露光する第3の工程と、その後、アルカリ現像液を用いて前記第2の樹脂層の感光部および前記第1の樹脂層を継続してエッチングする第4の工程と、その後、前記プリベークよりも高い温度で加熱処理し前記第1および第2の樹脂層を一緒に硬化する第5の工程とを含むことを特徴とする有機絶縁膜のパターン形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/312
, G03F 7/26 511
, G03F 7/38 511
, G03F 7/40 501
, H01L 21/027
H01L 21/312 D
, G03F 7/26 511
, G03F 7/38 511
, G03F 7/40 501
, H01L 21/30 566
, H01L 21/30 573
