特許
J-GLOBAL ID：200903013436612672
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-310794
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145129
出願日： 1997年11月12日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 素子に悪影響を及ぼすα線の遮蔽のため、厚膜化した耐熱性高分子膜を少ない工程数で形成する方法を提供する。【解決手段】 素子及びパッシベーション膜を有するウエハ上に非感光性高分子前駆体と感光性高分子前駆体の層を積層し、感光性高分子前駆体層を露光後、現像する際に、同時に下層の非感光性高分子前駆体層のエッチングを行い、最後に両層を加熱してポリマー化し、最終膜厚30μm以上の膜を形成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも、素子が形成され、パッシベーション膜で覆われた半導体基板上に、30μm以上の厚みを有する耐熱性高分子樹脂の層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記耐熱性高分子樹脂層形成工程が、(1)非感光性高分子の前駆体を塗布する工程、(2)前記非感光性高分子樹脂の前駆体層上に感光性高分子樹脂の前駆体を塗布する工程、(3)所望のパターンに前記感光性高分子樹脂の前駆体を露光する工程、(4)前記感光性高分子樹脂の前駆体の現像液で現像してパターニングする工程、(5)パターニングされた感光性高分子樹脂の前駆体層をマスクに前記非感光性高分子樹脂の前駆体層をウェットエッチングする工程、及び(6)前記非感光性及び感光性高分子樹脂の前駆体層をポリマー化する工程とを含むものであって、前記非感光性高分子樹脂の前駆体が前記感光性高分子樹脂の前駆体の現像液でエッチング可能であり、前記感光性高分子樹脂の前駆体のパターニング工程及び前記非感光性高分子樹脂の前駆体層をウェットエッチングする工程とを同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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