特許
J-GLOBAL ID：200903022326990964
透明導電膜及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310452
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167479
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】平滑性、透明性、表面の仕事関数が高く、低抵抗な透明導電膜及びその製造方法を提供すること。【構成】1〜100°Cの基板温度でX線回折的に非晶質なまたは微結晶からなる非晶質に近いITO薄膜を、減圧下または非酸化性下100〜500°Cでアニールした後、酸化性雰囲気下100〜500°Cでアニールするか、フラズマ照射するかして、表面の高低差を1〜10nmにし、表面の仕事関数を5.1〜6.0eVに高める。
請求項（抜粋）：
表面高低差が1μm平方の範囲で1nm〜10nm、表面の仕事関数が5.1〜6.0eV、表面抵抗率が3〜50Ω/□、基板を含めた450〜800nmにおける可視光透過率が75〜90%であることを特徴とする透明導電膜。
IPC (4件)：
H05B 33/28
, C23C 14/08
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
