特許
J-GLOBAL ID：200903022329183806
プラズマ発生電極装置およびプラズマ発生装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-165624
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078193
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】発生したプラズマに対して十分な耐蝕性を備え、プラズマシースを安定に生成させ、エッチング、CVD、PVD等の各処理を、サセプターの全面にわたって安定に実施できるようなプラズマ発生電極装置を提供する。【構成】緻密質セラミックスからなる基体1と、基体1中に埋設された電極9とを備えており、電極9と基体1のプラズマ発生側の表面1aとの間に存在する電磁波透過層4の厚さの最小値が0.1mm以上である。好ましくは、電磁波透過層4の厚さの平均値が0.5mm以上であり、電磁波透過層4の厚さの平均値が5.0mm以下であり、電極9が金属バルク体からなる面状の電極であり、電極を包囲する基体1が、接合面のない一体焼結品である。
請求項（抜粋）：
緻密質セラミックスからなる基体と、この基体中に埋設された電極とを備えているプラズマ発生電極装置であって、この電極と前記基体のプラズマ発生側の表面との間に存在する電磁波透過層の厚さの最小値が0.1mm以上であることを特徴とする、プラズマ発生電極装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
