特許
J-GLOBAL ID：200903023421803957
薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-073282
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291049
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【構成】半導体ウェハなどの基板表面上に、加熱状態下にて薄膜を形成させる装置であって、上記基板の加熱手段を窒化アルミニウム質セラミックスにより構成する。【効果】熱伝導性が高く、機械的強度に優れ、かつ電気絶縁性や耐熱性を持つ加熱手段を有する薄膜形成装置を提供することが可能となる。また、高純度窒化アルミニウム質セラミックスよりなる加熱手段とすることにより、基板を汚染しない薄膜形成装置を提供することが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハなどの基板表面上に、加熱状態下にて薄膜を形成させる装置であって、上記基板の加熱手段が窒化アルミニウム質セラミックスからなることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/12
, H01L 21/68
