特許
J-GLOBAL ID：200903022336497808
多孔質半導体電極の形成方法、色素増感型太陽電池用電極基板の製造方法、色素増感型太陽電池用電極基板、及び色素増感型太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-379021
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142089
出願日： 2003年11月07日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 所望形状の多孔質半導体電極を比較的高い生産性の下に形成することが可能な多孔質半導体電極の形成方法を提供する。【解決手段】 塗布液の吐出口又はその近傍に設けた電極に電圧を印加して塗布液を吐出する方法である電界ジェット法により、多数の半導体微粒子を含有した塗布液を被塗工物に塗工して塗膜を形成し、この塗膜中の半導体微粒子を前記被塗工物に定着させることによって多孔質半導体電極を形成する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
塗布液の吐出口又はその近傍に設けた電極に電圧を印加して塗布液を吐出する方法である電界ジェット法により、多数の半導体微粒子を含有した塗布液を被塗工物に塗工して塗膜を形成する第1工程と、
前記塗膜中の半導体微粒子を前記被塗工物に定着させる第2工程と、
を含むことを特徴とする多孔質半導体電極の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051FA04
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032CC16
, 5H032EE07
, 5H032EE16
