特許
J-GLOBAL ID：200903022353898450

多孔質膜の形成方法、配線構造体及びその形成方法

発明者：
青井 信雄

青井 信雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017914
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216153
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 簡単な工程により且つ低いコストで比誘電率が2以下である多孔質膜を形成できるようにする。【解決手段】 真空チャンバー内に、シリコンアルコキシドとしてのビニルトリメトキシシランが気化してなるガスと、有機化合物のガスとしてのアセチレンガスとの混合ガスを導入すると共に、該混合ガスからなるプラズマを発生させることにより、基板上に有機無機複合膜を堆積する。次に、真空チャンバー内に、水素ガスと窒素ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入すると共に、該混合ガスからなるプラズマを発生させることにより、有機無機複合膜に対して水素プラズマ処理を行なう。これによって、有機無機複合膜の有機成分が揮発し、有機成分が揮発した跡に多数の細孔が形成されるので、有機無機複合膜からなる多孔質膜が得られる。
請求項（抜粋）：
シリコンアルコキシドと有機化合物との混合ガスを反応性ガスとするプラズマCVD法により、基板上に有機無機複合膜を堆積する工程と、前記有機無機複合膜に対して還元性ガスを含むガスからなるプラズマを用いるプラズマ処理を行なうことにより、前記有機無機複合膜からなる多孔質膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする多孔質膜の形成方法。
Fターム (17件)：
5F058AA10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD05 ,  5F058AD11 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BH16 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 集積回路誘電体及び方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-147773   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
  • 層間絶縁膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227736   出願人：松下電器産業株式会社

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